第33回 臨床工学技士国家試験 午後 第51問
第33回 臨床工学技士国家試験 午後 第51問（電子工学）の正答は 5 です。正しいのはｄ（n形チャネルの多数キャリアは電子）とｅ（CMOSは低消費電力）。
- 1. ａ、ｂ
- 2. ａ、ｅ
- 3. ｂ、ｃ
- 4. ｃ、ｄ
- 5. ｄ、ｅ ✓
正答：5番
初回正答率 53.8%参考値
13人の初回解答から算出（2026年10月21日時点）。母数が少ないため参考値です
同じ利用者の2回目以降の解答は除外しています（再挑戦を含めると正答率は実力より高く出るため）。国家試験の公式発表値ではなく、MEカコモンで実際に解かれた記録にもとづく数値です。
正しいのはｄ（n形チャネルの多数キャリアは電子）とｅ（CMOSは低消費電力）。ａは逆方向抵抗の0と∞、ｂは電圧制御と電流制御、ｃはピエゾ抵抗効果とホール効果の取り違えである。
【各選択肢の解説】
ａ．理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
❌ 誤り。正しくは理想ダイオードの順方向抵抗が0、逆方向抵抗が∞（逆方向には電流を全く流さない）。
ｂ．ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
❌ 誤り。正しくはユニポーラトランジスタ（FET）はゲート電圧でドレイン電流を制御する電圧制御素子。ベース電流でコレクタ電流を制御する電流制御素子はバイポーラトランジスタ。
ｃ．ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
❌ 誤り。正しくはピエゾ抵抗効果（力・ひずみで抵抗率が変わる）の大きい半導体は圧力センサ・ひずみゲージに利用される。磁気センサに使うのはホール効果や磁気抵抗効果。
ｄ．接合型FETのn形チャネルの多数キャリアは電子である。
✅ 正しい。n形半導体はドナー不純物を含み、多数キャリアは電子（p形では正孔）。FETはこの多数キャリアだけで電流を運ぶのでユニポーラと呼ばれる。
ｅ．CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
✅ 正しい。CMOSはpチャネルとnチャネルのMOSFETを相補的に組み、どちらかが常に遮断状態なので、論理が切り替わらない間はほとんど電流が流れない。電力は主に切り替えの瞬間に消費される。
❌ 誤り。ａ・ｂはどちらも誤りの記述。正しくはｄ・ｅの組合せ。
❌ 誤り。ａは誤りの記述。正しくはｄ・ｅの組合せ。
❌ 誤り。ｂ・ｃはどちらも誤りの記述。正しくはｄ・ｅの組合せ。
❌ 誤り。ｃは誤りの記述。正しくはｄ・ｅの組合せ。
✅ 正しい。ｄ・ｅはどちらも正しい記述である（＝正答）。
【試験対策ポイント】
| バイポーラトランジスタ | FET（ユニポーラ） | |
|---|---|---|
| 制御 | ベース電流（電流制御） | ゲート電圧（電圧制御） |
| キャリア | 電子と正孔の両方 | 多数キャリアのみ（n形＝電子・p形＝正孔） |
| 入力インピーダンス | 低い | 高い |
- 効果とセンサ：ピエゾ抵抗効果・圧電効果＝圧力・力／ホール効果＝磁気
- 理想ダイオード：順方向0 Ω・逆方向∞
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