第33回 臨床工学技士国家試験 午後 第51問

半導体素子の性質を問う。n形チャネルFETの多数キャリアは電子、CMOSは低消費電力という記述が正しい。よってｄ・ｅの組合せの5番が正答。

【各選択肢の解説】

ａ．理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
❌ 誤り。理想ダイオードは順方向抵抗0・逆方向抵抗∞。

ｂ．ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
❌ 誤り。ユニポーラ（FET）は電圧制御素子。電流制御はバイポーラ。

ｃ．ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
❌ 誤り。ピエゾ（圧電）効果は圧力・力センサ。磁気センサはホール効果を利用。

ｄ．接合型FETのn形チャネルの多数キャリアは電子である。
✅ 正しい。n形は電子が多数キャリア（p形は正孔）。

ｅ．CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
✅ 正しい。CMOSは静的消費電力が非常に小さく低消費電力。

よって正しい記述はｄ・ｅ → 「5番」が正答。

【試験対策ポイント】

FET＝電圧制御・ユニポーラ（n形は電子・p形は正孔）／バイポーラ＝電流制御。CMOS＝低消費電力。ホール効果＝磁気、圧電効果＝圧力、熱電効果＝温度など、効果とセンサの対応を整理。